书目信息 |
| 题名： |
模拟CMOS集成电路设计
|
|
| 作者： | 拉扎维 著 ；陈贵灿 译 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 西安 西安交通大学出版社 2003 |
|
| 页数： | 562页 | |
| 开本： | 26cm | |
| 丛书名： | ||
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN432 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | CMOS电路--电路设计--教材 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-5605-1606-6 | |
| 000 | 01071n|m0 2200265---450- | |
| 001 | 0102663709 | |
| 005 | 20121116170000.0 | |
| 010 | @a978-7-5605-1606-6@dCNY65.00 | |
| 100 | @a20030804d2003 em y0chiy0120 ea | |
| 101 | 1 | @achi@ceng |
| 102 | @aCN@b610000 | |
| 105 | @ay z 000yy | |
| 135 | @adrbn ---auuuu | |
| 200 | 1 | @a模拟CMOS集成电路设计@9Mo;Mu Ni C M O S Ji Cheng Dian Lu She Ji @f(美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著@b电子资源.图书@g陈贵灿等译 |
| 210 | @a西安@c西安交通大学出版社@d2003 | |
| 215 | @a562页@d26cm | |
| 325 | @a电子复制品 | |
| 330 | @a全书共18章，介绍了各种基本模块和运放及其频率响应和噪声，带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，振荡器和锁相环，MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。 | |
| 510 | 1 | @aDesign of Analog CMOS the Integrated Circuits@zeng |
| 606 | 0 | @aCMOS电路@x电路设计@j教材 |
| 690 | @aTN432@v4 | |
| 701 | 0 | @c(美)@a拉扎维@c(教授，Razavi, Behzad)@4著@9la zha wei |
| 702 | 0 | @a陈贵灿@c(电子)@4译@9chen gui can |
| 801 | 0 | @aCN@bAZmarc@c20230904 |
| 905 | @dTN432@e2@f2@sTN432/2@aBZT | |
| 模拟CMOS集成电路设计/(美)毕查德·拉扎维(Behzad Razavi)著[电子资源.图书]/陈贵灿等译.-西安：西安交通大学出版社，2003 |
| 562页；26cm |
| ISBN 978-7-5605-1606-6：CNY65.00 |
| 全书共18章，介绍了各种基本模块和运放及其频率响应和噪声，带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，振荡器和锁相环，MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。 |
| ● |
| 相关链接 |
|
|
|
正题名：模拟CMOS集成电路设计
索取号：TN432/2
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 2000021542 | 2000021542 | 旧书回溯/ [索取号:TN432/2] | 在馆 | |
| 2 | 2000023592 | 2000023592 | 旧书回溯/ [索取号:TN432/2] | 在馆 |