书目信息 |
| 题名： |
硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究
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| 作者： | 杜文汉 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 镇江 江苏大学出版社 2018.12 |
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| 页数： | 123页 | |
| 开本： | 22cm | |
| 丛书名： | 新材料研究系列丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | O48 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 固体物理学--gu ti wu li xue--研究 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-5684-1030-4 | |
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| 314 | @a杜文汉, 常州工学院教师, 现任电气与广电工程学院新能源科学与工程系主任等职。 | |
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| 330 | @a本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具, 对Sr/Si体系进行了研究, 主要分为以下3个部分: Si (100) 衬底上的Sr/Si再构 ; Si (111) 衬底上的Sr/Si再构 ; 超薄SrTiO3膜的高温晶化。 | |
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| 硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究= Investigation on the interface and surface reconstruction of bufferlayer of high k oxide on silicon surface/杜文汉著.-镇江：江苏大学出版社，2018.12 |
| 123页：图；22cm.-(新材料研究系列丛书) |
| ISBN 978-7-5684-1030-4：CNY35.00 |
| 本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具, 对Sr/Si体系进行了研究, 主要分为以下3个部分: Si (100) 衬底上的Sr/Si再构 ; Si (111) 衬底上的Sr/Si再构 ; 超薄SrTiO3膜的高温晶化。 |
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正题名：硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究
索取号：O48/3
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 2000893242 | 2000893242 | 第三书库/ [索取号:O48/3] | 在馆 | |
| 2 | 2000893243 | 2000893243 | 第三书库/ [索取号:O48/3] | 在馆 | |
| 3 | 2000893244 | 2000893244 | 第三书库/ [索取号:O48/3] | 在馆 |